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※プロセス:GaN ON Si (汚れ内訳 AiNバッファー層+GaN Epi 1μ)
※ポケット内のシミはSiCコートの痛みによるものです。 ※プロセス:GaN ON Si (汚れ内訳 AiNバッファー層+GaN Epi 30μ)
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