半導体製造装置（前工程用）は、デザインルール微細化（0.18μm以下）と ウェーハ大口径化（φ300ｍｍ以上）への対応が求められています。
それには、装置を構成する部品の材料の選定が極めて重要となります。
窒化アルミニウム（AlN）は、熱伝導性･熱放射性（放熱）、耐熱衝撃性、電気絶縁性に優れ、 Siウェーハにマッチした熱膨張をもつ、特性のバランスの良い材料です。
当社はこれらの特性を生かした半導体製造装置用AlN部品を用意しております。
特性
| 特性 | AIN材質 | AlN | ||
|---|---|---|---|---|
| FAN-170 | FAN-200 | FAN-090 | ||
| 熱伝導率 | W/m·K(RT) | 170 | 200 | 90 |
| 熱放射率 | (100ºC) | 0.93 | 0.93 | 0.93 |
| 熱膨張係数 | 10-6/ºC(RT～400ºC) | 4.5 | 4.5 | 4.5 |
| 絶縁抵抗 | Ω·cm(RT) | >1013 | >1013 | >1013 |
| 絶縁耐圧 | kV/mm(RT) | 15 | 15 | 15 |
| 誘電率 | (1MHz) | 8.8 | 8.8 | 8.8 |
| 誘電体損失 | 10-4(1MHz) | 5 | 5 | 5 |
| 曲げ強度 | kgf/mm2 | 35 | 35 | 35 |
| 密度 | g/cm3 | 3.32 | 3.32 | 3.23 |
| Y | % | 3.5 | 3.3 | 0 |
| O | % | 1.5 | 1.2 | 0.58 |
| 金属不純物 | ppm | <500 | <500 | <500 |
| 特徴 | 汎用 | 高熱伝導 | 高純度 （焼結助剤レス） |
|
特徴
- 熱伝導・熱放射率が大きく、均熱性が高い。
- 熱衝撃に強く、急熱・急冷に耐える。
- Siにマッチした低熱膨張で、温度変化によるウェーハの変形を防ぎ、また、デポ膜の剥離によるパーティクル発生を低減する。
- フッ素系ガスの耐食性が大きい。
- 耐プラズマ性に優れている。
用途
- 半導体製造装置用（CVD，エッチングなど）サセプター各種，静電チャック，ヒーター均熱板，真空チャック，ヒーター
- ダミーウェーハ
- スパッターターゲット
仕様
| 外形寸法 | (最大)φ／□550mm) |
|---|---|
| 板厚寸法 | 0.25to30(mm) |
＊外形・Gradeによって別途相談になります。