単結晶基板
シリコンカーバイドウエハー(SiC Wafer)
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シリコンカーバイド・エピウエハー(SiC Epitaxy Wafer)
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窒化アルミ単結晶ウエハー（AlN Single Crystal Wafer）
次世代の電子・光電子デバイスでは、半導体材料の進歩が求められています。UV-Cオプトエレクトロニクス、高性能電力変換デバイス、および高出力、高周波RFデバイスはすべて、高Al濃度(通常は60%)の(Al、In、Ga)Nエピタキシャル層を使用して製造されています。これらの高性能デバイスを成功裏に製造するための鍵は、これらのエピタキシャル層が敷設された高品質のAlN基板を利用することです。
AlNを使用しないと、デバイスメーカーはサファイアや炭化ケイ素(SiC)などの最適でない基板上にIII窒化物ベースのデバイスを構築することに追いやられ、材料のミスマッチを補うための工夫が必要で、時には高価な製造技術を実装することを余儀なくされ、多くの場合、最適ではない結果が得られます。 是非、貴社の開発で、AlN単結晶ウエハーをご使用ください。
弊社は現在、C面およびM面の単結晶AlN基板(１インチ、２インチ)を提供しています。
用途別にウエハーの仕様がございます。
AlN-10: RF、パワーデバイス、圧電デバイス、UV-Cレーザーダイオード
AlN-20: パワーデバイス、UV-Cレーザーダイオード
AlN-30: UV-C LED
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ガリウムナイトライド自立基板
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サファイアウェハー
サファイア・テンプレート
高純度SIC粉
SiC単結晶育成用高純度SiC粉・セラミック部品用高純度SIC粉を取り扱っております。
高純度GaCl3（高純度三塩化ガリウム）
GaN単結晶膜成長用、Ga2O3単結晶膜成長用として販売を開始しました。
専用容器も準備しております。
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高純度InCl3(高純度三塩化インジウム）
トリメチルインジウム（T M I）の原料、化合物半導体の原料、アルカリ電池用添加剤などに使用されています。
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Al-Scスパッタリングターゲット
移動通信端末には800～2500MHz帯で動作する高周波（RF: Radio Frepuency）フィルタが用いられています。
このRFフィルタには、圧電体基板の表面を伝搬する表面波SAW（Surface Acoustic Wave）を利用したSAWフィルタが広く使われています。
Al-Sc膜は、この用途に適しております。
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