取扱商品紹介

半導体製造装置用 AlNセラミックス部品

半導体製造装置(前工程用)は、デザインルール微細化(0.18μm以下)と ウェーハ大口径化(φ300mm以上)への対応が求められています。
それには、装置を構成する部品の材料の選定が極めて重要となります。
窒化アルミニウム(AlN)は、熱伝導性・熱放射性(放熱)、耐熱衝撃性、電気絶縁性に優れ、 Siウェーハにマッチした熱膨張をもつ、特性のバランスの良い材料です。
当社はこれらの特性を生かした半導体製造装置用AlN部品を用意しております。

特性

特性 AIN材質 AlN
FAN-170 FAN-200 FAN-090
熱伝導率 W/m·K(RT) 170 200 90
熱放射率 (100ºC) 0.93 0.93 0.93
熱膨張係数 10-6/ºC(RT〜400ºC) 4.5 4.5 4.5
絶縁抵抗 Ω·cm(RT) >1013 >1013 >1013
絶縁耐圧 kV/mm(RT) 15 15 15
誘電率 (1MHz) 8.8 8.8 8.8
誘電体損失 10-4(1MHz) 5 5 5
曲げ強度 kgf/mm2 35 35 35
密度 g/cm3 3.32 3.32 3.23
Y % 3.5 3.3 0
O % 1.5 1.2 0.58
金属不純物 ppm <500 <500 <500
特徴 汎用 高熱伝導 高純度
(焼結助剤レス)

特徴

  • 熱伝導・熱放射率が大きく、均熱性が高い。
  • 熱衝撃に強く、急熱・急冷に耐える。
  • Siにマッチした低熱膨張で、温度変化によるウェーハの変形を防ぎ、また、デポ膜の剥離によるパーティクル発生を低減する。
  • フッ素系ガスの耐食性が大きい。
  • 耐プラズマ性に優れている。
クランプリング

用途

  • 半導体製造装置用(CVD,エッチングなど)サセプター各種,静電チャック,ヒーター均熱板,真空チャック,ヒーター
  • ダミーウェーハ
  • スパッターターゲット
静電チャック部品

仕様

外形寸法 (最大)φ/□550mm)
板厚寸法
0.25to30(mm)

*外形・Gradeによって別途相談になります。

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